A introdução de germânio (Ge) em titânia (TiO2) cria um semicondutor atraente. O novo semicondutor é chamado titânia-germânio (TiO2-Ge). Os ge dots estão dispersos na matriz distorcida de TiO2 do TiO2-Ge. O raio quântico de Bohr de Ge é de 24,3 nm e, portanto, as propriedades do ponto Ge podem ser variadas ajustando-se seu tamanho se ele for menor que seu raio de Bohr devido ao efeito de confinamento quântico (QCE). Portanto, simplesmente alterando a concentração de Ge, a morfologia do TiO2-Ge pode variar dentro de um amplo intervalo. Consequentemente, as propriedades óticas, eletrônicas e térmicas do TiO2-Ge podem ser adaptadas. TiO2 – Ge torna-se um material promissor para a próxima geração de energia fotovoltaica, bem como dispositivos termoelétricos. Também pode ser usado para aplicações foto-termoelétricas.
Fonte: IOPscience
Para mais informações, por favor visite nosso website:www.semiconductorwafers.net ,
envie-nos um e-mail emangel.ye@powerwaywafer.com oupowerwaymaterial@gmail.com
informações de contato
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
