ainda é um grande desafio para dispositivos baseados em semicondutores obterem um grande efeito de magnetorresistência (mr) sob um campo magnético baixo à temperatura ambiente. Neste trabalho, os efeitos de fotoinduzida em diferentes intensidades de iluminação à temperatura ambiente são investigados arsenieto de gálio semi-isolante ( si-gaas ag / si-gaas / ag baseado em o dispositivo é submetido à...
o processo para diminuir a densidade de deslocamento em 3 polegadas dopado bolachas de inp é descrito. o processo de crescimento de cristais é um czochralsky (lec) encapsulado em um líquido convencional, mas escudos térmicos foram adicionados para diminuir o gradiente térmico no cristal em crescimento. A forma desses escudos foi otimizada com a ajuda de simulações numéricas de transferência de cal...
a densidade e intensidade de dispersão de luz dos precipitados de oxigênio silício cz os cristais são medidos por tomografia por dispersão de luz. os dados numéricos esclarecidos através das medições são discutidos em relação à quantidade de oxigênio precipitado. os resultados obtidos aqui correspondem bem à análise teórica de que os precipitados de oxigênio causam a dispersão da luz. as informaçõ...
Para realizar o carboneto de silício de alto desempenho ( SiC ) dispositivos de potência, contatos ôhmicos de baixa resistência ao SiC tipo-p devem ser desenvolvidos. Para reduzir a resistência do contato ôhmico, é necessário reduzir a altura da barreira nas interfaces metal / SiC ou aumentar a concentração de dopagem nos substratos de SiC. Como a redução da altura da barreira é extremamente difíc...
Neste trabalho, usando um simulador de dispositivo eletro-térmico tridimensional totalmente acoplado, estudamos o mecanismo de degradação de eficiência em alta operação atual em planar G uma Diodos emissores de luz baseados em N (CONDUZIU). Em particular, foi demonstrada a melhoria da degradação da eficiência utilizando substratos GaN condutores mais espessos. Primeiro, verifica-se que o aquecimen...
Experimentos ortogonais de crescimento de filmes GaSb em Substrato de GaAs foram projetados e executados usando um sistema de baixa deposição de vapor químico orgânico de metal (LP-MOCVD). As cristalinidades e microestruturas dos filmes produzidos foram comparativamente analisadas para atingir os parâmetros ótimos de crescimento. Foi demonstrado que o filme fino GaSb otimizado tem uma largura tota...
As características de laser dependentes de temperatura de ligação de diodo laser de GaInAsP de 1,5 µm (LD) cultivadas em um Substrato InP ou Substrato Si foram obtidos com sucesso. Nós fabricamos o InP substrato ou substrato de Si utilizando uma técnica de ligação direta de pastilhas hidrofílicas a temperaturas de ligação de 350, 400 e 450 ° C, e depositou GaInAsP ou Camadas de heteroestructure du...
Os recentes avanços no crescimento de filmes epitaxiais de SiC em Si são vistos. Os métodos clássicos básicos atualmente usados para o crescimento de filmes de SiC são discutidos e suas vantagens e desvantagens são exploradas. A ideia básica e o embasamento teórico para um novo método de síntese de filmes epitaxiais de SiCem Si são dadas. Será mostrado que o novo método é significativamente dife...